fa تعیین موقعیت مؤثر چشمه الکترون برای اپلیکاتور Beam shaper در پرتودرمانی حین عمل عمومى General پژوهشي اصیل Original Research <div><span style="color:#000000;"><a name="OLE_LINK304"></a><a name="OLE_LINK303"></a><a name="OLE_LINK295"></a></span><a name="OLE_LINK294"><span style="color:#000000;"><strong><span style="font-family:B Zar;">زمینه و هدف: </span></strong></span></a><span style="color:#000000;"><a name="OLE_LINK270"></a></span><a name="OLE_LINK269"><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;">اپلیکاتور</span></span></a><span style="font-size:10px;"><a name="OLE_LINK269"><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> </span></span></a><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">Beam shaper</span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> یکی از اپلیکاتورهای اختصاصی مورد استفاده در پرتودرمانی حین عمل توسط باریکه الکترون است که معمولاً برای پرتودهی تومورهای بزرگ استفاده می &shy;شود.</span> </span><span style="font-family:B Zar;"><span style="color:#000000;">به دلیل وزن زیاد و <a id="OLE_LINK272" name="OLE_LINK272"></a></span><a name="OLE_LINK271"><span style="color:#000000;">عدم امکان قرارگیری مستقیم بر روی بدن بیمار</span></a><span style="color:#000000;">، فاصله هوایی قابل &shy;توجهی میان این اپلیکاتور و بیمار به وجود می&shy; آید؛ بنابراین، دانستن موقعیت مؤثر چشمه الکترون <a name="OLE_LINK274"></a></span><a name="OLE_LINK273"><span style="color:#000000;">(</span></a></span><span style="color:#000000;"><a name="OLE_LINK300"></a></span><span style="font-size:11px;"><a name="OLE_LINK299"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">SSD_eff</span></span></a></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;">) جهت تصحیح خروجی اپلیکاتور برای اثر</span> <span style="font-family:B Zar;">فاصله هوایی </span><span style="font-family:B Zar;">و تحویل دقیق&shy; میزان دوز تجویزی به بیمار کاملاً ضروری است. هدف از این پژوهش تعیین </span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">SSD_eff</span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> برای تمام میدان&shy;های مربعی حاصل از اپلیکاتور </span><span dir="LTR">Beam shaper</span><span style="font-family:B Zar;"> در انرژی&shy; های مختلف الکترون با استفاده از شبیه&shy; سازی مو&shy;نت&shy;کارلو است.</span><br> <strong><span style="font-family:B Zar;">مواد و روش&shy; ها:</span></strong> <span style="font-family:B Zar;">ابتدا سر شتاب&shy; دهنده </span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">LIAC</span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> به همراه اپلیکاتور </span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">Beam shaper</span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> توسط کد مونت&shy;کارلوی</span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> </span><span dir="LTR">MCNPX</span></span></span><span style="font-family:B Zar;"><span style="color:#000000;"> شبیه &shy;سازی گردید و <a name="OLE_LINK276"></a></span><a name="OLE_LINK275"><span style="color:#000000;">سپس اعتبار مدل شبیه‌سازی شده از طریق مقایسه منحنی&shy;های درصد دوز عمقی محاسبه شده در میدان‌ها و انرژی&shy; های مختلف با مقادیر عملی متناظر، مورد ارزیابی قرار گرفت. </span></a><span style="color:#000000;"><a name="OLE_LINK278"></a></span><a name="OLE_LINK277"><span style="color:#000000;">پس از اعتبارسنجی مدل شبیه‌سازی‌شده، </span></a></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">SSD_eff</span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> برای ابعاد میدان &shy;ها و انرژی&shy; های مختلف الکترون با استفاده از روش عکس مجذور فاصله </span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;">(</span><span dir="LTR">ISL</span><span style="font-family:B Zar;">)</span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> تعیین گردید.</span><span style="font-family:B Zar;"><span style="font-size:12.0pt;"></span></span><br> <strong><span style="font-family:B Zar;">یافته&shy; ها: </span></strong><span style="font-family:B Zar;">نتایج به‌دست‌آمده نشان داد که</span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;"> </span><span dir="LTR">SSD_eff</span></span></span><span style="font-family:B Zar;"><span style="color:#000000;"> تابعی از انرژی الکترون و اندازه میدان تابش است. </span><a name="OLE_LINK281"><span style="color:#000000;">وابستگی </span></a></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">SSD_eff</span><span style="font-family:B Zar;"> </span></span></span><span style="color:#000000;"><span style="font-family:B Zar;">به تغییرات ابعاد میدان به‌مراتب بیشتر از تغییر انرژی الکترون بود.</span><span style="font-family:B Zar;"> به‌طورکلی با افزایش ابعاد میدان یا انرژی باریکه الکترون </span><a name="OLE_LINK286"></a></span><span style="font-size:11px;"><a name="OLE_LINK287"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">SSD_eff</span></span></a></span><span style="color:#000000;"> <span style="font-family:B Zar;">نیز افزایش می&shy;یابد.</span><br> <strong><span style="font-family:B Zar;">نتیجه&shy; گیری:</span></strong></span><span style="font-family:B Zar;"><span style="color:#000000;"> <a name="OLE_LINK289"></a></span><a name="OLE_LINK288"><span style="color:#000000;">مقادیر </span></a></span><span style="color:#000000;"><a name="OLE_LINK298"></a></span><span style="font-size:11px;"><a name="OLE_LINK297"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">SSD_eff</span></span></a></span><span style="color:#000000;"> <span style="font-family:B Zar;">تعیین&shy; شده برای باریکه الکترون اپلیکاتور </span></span><span style="font-size:11px;"><span style="color:#000000;"><span dir="LTR">Beam shape</span></span></span><span style="font-family:B Zar;"><a name="OLE_LINK301"><span style="color:#000000;">در مطالعه حاضر، </span></a><span style="color:#000000;">می&shy;تواند جهت اصلاح خروجی باریکه الکترون در مقاصد بالینی به&shy; کار گرفته شود.</span></span></div> <div style="text-align: justify;"><strong>Background and Aim:</strong> Beam shaper applicator is one of the dedicated applicators for intraoperative electron radiotherapy which is usually employed for large tumors irradiation. Due to the high weight and lack of possibility of direct placement on the patient&rsquo;s body, a considerable air gap exists between the applicator and patient. Therefore, determination of the effective position of electron source (SSD_eff) is absolutely necessary to correct the applicator output for air gap effect and accurate delivery of the prescribed dose to the patient. The aim of this study was to determine the SSD_eff for all square fields of beam shaper applicator at different electron energies using Monte Carlo (MC) simulation<span dir="RTL">.</span><br> <strong>Materials and Methods: </strong>At first, the head of LIAC accelerator and beam shaper applicator were simulated by MCNPX MC code and then, the validity of the simulated model was evaluated through comparing the calculated percentage depth dose (PDD) curves at different field sizes and energies with the corresponding practiacal values. After verifying the simulated model, the SSD_eff was determined for different field sizes and electron energies using inverse square law (ISL) method<span dir="RTL">.</span><br> <strong>Results: </strong>The results showed that the SSD_eff is a function of electron energy and radiation field size. Dependency of SSD_eff on field size variations was much more than that on the alterations in the electron energy. Generally, increase in the field size or electron energy led to increase in SSD_eff<span dir="RTL">.</span><br> <strong>Conclusion: </strong>The determined SSD_eff values for the electron beam of the beam shaper applicator in our study, can be used to correct the electron beam output for clinical purposes.</div> : موقعیت مؤثر چشمه الکترون (SSDeff), پرتودرمانی حین عمل, اپلیکاتور Beam shaper, شبیه سازی مونت‌کارلو, شتاب‌دهنده اختصاصی Effective position of electron source (SSDeff), Intraoperative radiotherapy, Beam shaper applicator, Monte Carlo simulation, LIAC dedicated accelarator 80 92 http://sjku.muk.ac.ir/browse.php?a_code=A-10-4010-1&slc_lang=fa&sid=1 Nematollah Heidarloo نعمت الله حیدرلو ah.heidarloo@gmail.com 5400319475328460042969 5400319475328460042969 No Shahid Beheshti University گروه مهندسی پرتوپزشکی، دانشکده مهندسی هسته‌ای، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران Hamid Reza Baghani حمیدرضا باغانی hamidreza.baghani@gmail.com 5400319475328460042970 5400319475328460042970 Yes Physics Department, Faculty of Science, Hakim Sabzevari University, Sabzevar, Iran گروه فیزیک، دانشکده علوم، دانشگاه حکیم سبزواری، سبزوار،ایران Seyed Mahmoud Reza Aghamiri محمودرضا آقامیری smr-aghamiri@sbu.ac.ir 5400319475328460042971 5400319475328460042971 No Medical Radiation Engineering, Faculty of Nuclear Engineering, Shahid Beheshti University,Tehran, Iran گروه مهندسی پرتوپزشکی، دانشکده مهندسی هسته‌ای، دانشگاه شهید بهشتی، تهران، ایران.